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中野 純一; 山田 禮司
JAERI-Research 95-045, 26 Pages, 1995/06
自由エネルギー最小化法に基づく化学平衡状態計算プログラムSOLGASMIX-PVを用いて、CHSiCl-H-Ar系の化学蒸着(CVD)に関して熱力学計算を行い、CVD状態図を得た。CHSiCl-H系では、-SiC+C、-SiC、-SiC+Si(l)、Si(l)、-SiC+Si(s)、およびSi(s)が蒸着する領域が存在することがわかった。CHSiClAr系では、-SiC+CおよびCが蒸着することがわかった。これらの計算結果と報告されている蒸着実験結果とを比較した結果、-SiC+Cが蒸着すると計算された領域において、-SiC+C、-SiC、または-SiC+Si(s)が蒸着することがわかった。CVDにおける最適なガスのモル比と蒸着温度に関しては、(Ar+H)/CHSiClモル比1000~10000、Ar/Hモル比0.43~0.15、蒸着温度1100~1500Kのときに、原料のSi原子は最も効率よく-SiCとして蒸着し、-SiC単相を生成することが明らかになった。
湊 和生; 福田 幸朔; 井川 勝市
JAERI-M 85-043, 27 Pages, 1985/03
自由エネルギー最小化法に基づく計算コードSOLGASMIX-PVを用いて、CHSiCle-H-Ar系の熱力学計算を行ない、CVD-状態図を得た。条件により、-SiC、-SiC+C(S)、-SiC+Si(S)、-SiC+Si(l)、Si(S)、Si(l)、またはC(S)が蒸着する領域があることがわかった。また、CHSiCle-H-Ar系では、-SiC+C(S)またはC(S)が蒸着することがわかった。これらの計算結果と報告されている蒸着実験結果とを比較した結果、-SiCが蒸着すると予測された領域の高温部(約2000K以上)で-SiC+C(S)が、低温部(約1700K以下)で-SiC+Si(S)がそれぞれ蒸着しており、SiCの蒸着機構を考察する上で重要な結果を得た。